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[发明专利]一种原位生长陶瓷增强纤维树脂复合材料-CN201810342404.7在审
发明人：陈照峰;廖家豪 -专利权人：苏州宏久航空防热材料科技有限公司
申请日： 2018-04-17 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： C04B35/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种原位生长陶瓷增强纤维树脂复合材料，由纤维预制体，界面层，陶瓷和树脂基体组成；其特征在于界面层包覆在纤维预制体中纤维的表面，呈环形包围状态，陶瓷原位生长在纤维预制体的孔隙中，微观上离散分布，陶瓷结构存在孔隙和微孔通道，形成原位生长陶瓷增强纤维多孔复合材料，树脂基体填充在原位生长陶瓷增强纤维多孔复合材料的孔隙和微孔通道中，形成连续、半非连续网络状态，并且表面包裹住原位生长陶瓷增强纤维多孔复合材料，形成原位生长陶瓷增强纤维树脂复合材料。
原位生长陶瓷增强纤维树脂复合材料多孔复合材料纤维预制体树脂基体微孔通道纤维界面层陶瓷复合材料制备非连续网络表面包裹环形包围离散分布陶瓷结构中纤维包覆填充微观

[发明专利]一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底原位连接方法-CN201510304886.3有效
发明人：朱嘉琦;舒国阳;代兵;韩杰才;陈亚男;杨磊;王强;王杨;刘康;赵继文;孙明琪 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2015-06-04 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底原位连接方法，本发明涉及同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底原位连接方法。本发明要解决现有的MWCVD生长系统中籽晶易被气流吹动偏离最佳位置，以及籽晶与金属钼衬底之间导热困难，使用真空钎焊造成籽晶表面质量下降且不易观察的问题。方法一、清洗；二、选择金箔；三、放置样品；四、原位连接；五、金刚石生长，即完成同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底原位连接方法。本发明用于一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底原位连接方法。
一种同质外延生长金刚石籽晶衬底原位连接方法

[实用新型]同步辐射μ-SAXS技术原位测量熔融法晶体微观生长基元粒径的微型晶体生长炉-CN201520023885.7有效
发明人：张德明;殷绍唐;孙彧;张庆礼;孙敦陆 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2015-01-14 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： F27B17/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种同步辐射µ-SAXS技术原位测量熔融法晶体微观生长基元粒径的微型晶体生长炉，属于物质在晶体生长时非固态微观生长基元粒径大小的原位实时测量设备领域。通过本微型晶体生长炉能实现对晶体生长时边界层和熔体中微观生长基元的粒径进行原位、实时观测，且，又能测量到两区域内微观生长基元粒径的大小。
同步辐射 saxs 技术原位测量熔融晶体微观生长粒径微型晶体生长

[实用新型]同步辐射μ-XRD技术原位测量熔融法晶体生长微观结构的微型晶体生长炉-CN201520023952.5有效
发明人：殷绍唐;张德明;孙彧;张庆礼;孙敦陆 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2015-01-14 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： F27B17/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种同步辐射µ-XRD技术原位测量熔融法晶体生长微观结构的微型晶体生长炉，属于物质微观结构原位实时测量设备领域，该生长炉结构合理，能实现晶体生长时对晶体、边界层和熔体等区域的微观结构的原位
同步辐射 xrd 技术原位测量熔融晶体生长微观结构微型

[发明专利]一种基于石墨烯原位生长螺旋碳纤维的柔性力学传感器及其制备方法-CN202210878827.7有效
发明人：慕春红;朱涛;郭新鹏;牛英华;王俊伟 -专利权人：电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C08J7/044 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于石墨烯原位生长螺旋碳纤维的柔性力学传感器及其制备方法，该方法包括以下步骤：将石墨烯和聚乙烯吡咯烷酮溶解在水中，搅拌，加入六水硫酸镍和尿素，搅拌，反应，然后依次离心、洗涤和干燥；热处理，降温，继续热处理，再后进行裂解反应，降温，制得石墨烯原位生长螺旋碳纤维；将制得的石墨烯原位生长螺旋碳纤维涂敷在基底上，干燥，制得基于石墨烯原位生长螺旋碳纤维材料的柔性力学传感器。本发明以原位生长为出发点，在石墨烯表面原位生长螺旋碳纤维，既能实现结构的创新，也能保证材料的导电性能，本发明制备的柔性力学传感器灵敏度高，稳定性好，能够应用于柔性电子设备。
一种基于石墨原位生长螺旋碳纤维柔性力学传感器及其制备方法

[发明专利]InP生长速率测量方法及装置-CN202210951538.5有效
发明人：陶羽宇 -专利权人：华灿光电(浙江)有限公司
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本公开提供了一种InP生长速率测量方法及装置，属于半导体技术领域。所述方法包括：采用原位测量法测量第一生长条件下InP的生长速率；获取原位测量法和XRD测量法分别测量第二生长条件下InP生长速率结果的比值；采用所述比值对原位测量法测量的所述第一生长条件下InP的生长速率进行校准，得到采用XRD测量法测量的所述第一生长条件下InP的生长速率。
inp 生长速率测量方法装置

[实用新型]μ-XAFS技术原位测量熔融法晶体生长配位结构的微型晶体生长炉-CN201320733349.7有效
发明人：殷绍唐;张德明;张庆礼;孙敦陆;张季;王迪;刘文鹏;孙贵花 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2013-11-20 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： F27B17/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了µ-XAFS技术原位测量熔融法晶体生长配位结构的微型晶体生长炉，属于物质微观结构实时检测的实验装置领域。该实用新型针对同步辐射µ-XAFS技术特点和原位实时观测熔融法晶体生长过程的要求，设计的微型晶体生长炉，可实现对熔融法晶体生长不同区域的原位实时观测，在微型晶体生长炉的竖直方向上呈现出晶体、生长边界层和熔体（高温溶液）等区域，同步辐射X射线可原位实时透射过上述三个区域，分别采集它们的微观配位结构信息，从而获得熔融法晶体生长时不同区域的配位结构及其变化规律。
xafs 技术原位测量熔融晶体生长结构微型

[发明专利]一种表面原位生长有复合生物涂层的镁合金及其制备方法-CN201710317355.7在审
发明人：陈君;严磊;李欢;兰祥娜;敖进清 -专利权人：西华大学
申请日： 2017-05-08 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： C23C26/00 文献下载
摘要：本发明提供一种表面原位生长有复合生物涂层的镁合金及其制备方法，方法包括以下步骤首先将镁合金样品浸泡在前处理溶液中，表面生长出前驱体膜；然后将生长有前驱体膜的镁合金放入后处理溶液中转变为Mg‑Fe类水滑石本发明可以克服原有方法只能在镁合金表面原位生长Mg‑Al水滑石膜的局限性，解决原位生长法适用的水滑石材料种类有限的弊端；另外，利用本发明方法制备得到的镁合金表面原位生长的复合生物涂层的耐腐蚀性能优良。
一种表面原位生长复合生物涂层镁合金及其制备方法

[发明专利]一种TC4钛合金表面原位生长黄色陶瓷膜层的方法-CN201310216285.8有效
发明人：姜兆华;胡冰;姚忠平;沈巧香;王志江 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2013-06-03 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： C25D11/26 文献下载
摘要：一种TC4钛合金表面原位生长黄色陶瓷膜层的方法，它涉及一种钛合金表面原位生长陶瓷膜层的方法。本发明是要解决现有微弧氧化方法在TC4钛合金表面原位生长陶瓷膜层的方法中电解液含重金属元素，成本较高，污染严重，不适用于绿色化的工业生产缺点的技术问题。本发明方法如下：一、表面处理；二、配制电解液；三、微弧氧化处理；四、冲洗、干燥即可在TC4钛合金表面原位生长黄色陶瓷膜层。本发明主要用于在TC4钛合金表面原位生长黄色陶瓷膜层。
一种 tc4 钛合金表面原位生长黄色陶瓷膜方法

[发明专利]一种碳化硅外延设备原位监测系统及监测方法-CN202010753383.5在审
发明人：肖永能 -专利权人：季华实验室
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： G01N21/47 文献下载
摘要：本发明公开一种碳化硅外延设备原位监测系统及监测方法，所述碳化硅外延设备原位监测系统包括：光路结构、光学探测模块、转速探测模块、信号处理模块。所述碳化硅外延设备原位监测系统，可以在1000‑1500rpm的高转速下，在SiC外延生长的原位实现对晶圆表面薄膜生长状态的实时监测并向SiC外延设备提供反馈信号进行实时的外延生长控制。
一种碳化硅外延设备原位监测系统方法

[发明专利]一种预判藻类种群演替和水华的方法-CN201410816263.X无效
发明人：李哲;刘静;肖艳;郭劲松;方芳;张萍 -专利权人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院
申请日： 2014-12-24 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种预判藻类种群演替和水华的方法，其特征在于：根据藻类C-R-S生长策略学说对天然水体中藻类种群进行划分。结合天然水体中藻类种群生长策略特征，遴选不同生长策略的藻种进行原位生长速率试验，获得特定生境条件下的原位生长速率，并判别不同生长策略藻种在该生境状态下的生长趋势。结合原位培养期间的生境持续性，对藻类种群演替结果和水华形成可能性进行预判。
一种藻类种群演替方法

[发明专利]一种用于根系原位动态观察和测定的植物栽培方法-CN200910192455.7无效
发明人：方素琴;廖红;严小龙 -专利权人：华南农业大学
申请日： 2009-09-18 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： A01G7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于根系原位动态观察和测定的植物栽培方法，包括设计透明的栽培容器和生长介质、种子灭菌和催芽、出芽后移苗所述透明的栽培容器，保持植物根系在所述透明的生长介质中自然生长等步骤，以便于采用三维激光扫描仪对根系进行扫描，进行根系三维构型的原位观察和图像捕获。本发明通过设计适宜的透明生长环境，保证植物根系在透明的生长环境中自然生长，便于后续的对植物根系原位生长状况进行三维可视化分析，直接反映根系的三维生长状况。
一种用于根系原位动态观察测定植物栽培方法

[发明专利]矢量强磁场下分子束外延及其原位表征装置-CN201611236161.6有效
发明人：康俊勇;张纯淼;吴志明;陈婷;高娜;吴雅苹;李恒 -专利权人：厦门大学
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： C30B30/04 文献下载
摘要：矢量强磁场下分子束外延及其原位表征装置，涉及分子束外延及其原位表征。提供超高真空强磁场下，样品生长平面与磁场夹角可调节的分子束外延生长，及以霍尔效应与磁阻测试为主的原位表征装置。该装置主要由结构紧致的倒T型超高真空生长与表征腔体和具有较小室温腔的强磁体构成。其中置于强磁体室温腔内的倒T型真空腔部分，包含紧致的外延生长样品台、可调节磁场与样品台夹角和原位表征装置；置于强磁体下方部分包含蒸发源、等离子体源等分子束源部件以及抽真空系统，利用超高真空中分子束流自由程长的特点有效克服了强磁场腔体积小与生长测试系统部件多的技术难题，实现强磁场下分子束外延生长及原位表征。
原位表征强磁场分子束外延超高真空强磁体生长矢量可调节室温腔样品台倒T型腔体抽真空系统等离子体源测试系统磁场夹角分子束流分子束源霍尔效应技术难题外延生长体积小真空腔蒸发源自由程磁阻束源移出磁场测试

[发明专利]碳泡沫原位生长碳纳米管复合电磁屏蔽材料及其制备方法-CN202111330278.1有效
发明人：刘愚;岳建岭;黄小忠;黄奔 -专利权人：中南大学
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C04B35/524 文献下载
摘要：本发明提供一种碳泡沫原位生长碳纳米管复合电磁屏蔽材料，由如下制备方法制备得到：将密胺泡沫置于高温管式炉中碳化，得到碳泡沫；采用溶液法或者物理气相沉积的方法，在碳泡沫表面沉积一层二氧化硅层，得到二氧化硅层修饰的碳泡沫；将二氧化硅层修饰的碳泡沫置于高温管式炉中，通过化学气相沉积的方法在碳泡沫骨架上原位生长碳纳米管，从而制备得到碳泡沫原位生长碳纳米管复合电磁屏蔽材料。本发明提供的碳泡沫原位生长碳纳米管复合电磁屏蔽材料，具有生长密度高、电磁屏蔽效能高、稳定性好等特点。本发明还提供一种碳泡沫原位生长碳纳米管复合电磁屏蔽材料的制备方法。
泡沫原位生长纳米复合电磁屏蔽材料及其制备方法

[发明专利]一种原位生长石墨烯增强C_f/SiC复合材料及其制备方法-CN201810810633.7在审
发明人：李斌斌;毛帮笑;袁小森 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2018-07-14 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种原位生长石墨烯增强C_f/SiC复合材料及其制备方法，其特征在于，所述的原位生长石墨烯增强C_f/SiC复合材料由碳纤维预制件、PyC界面层、石墨烯、SiC基体组成；PyC界面层厚度为300‑500nm，石墨烯层数为3‑5层；通过等离子体增强CVD法在碳纤维预制体内原位生长石墨烯，然后通过CVI工艺对碳纤维预制件进行增密得到原位生长石墨烯增强C原位生长的石墨烯可显著提高C_f/SiC复合材料的力学性能。
石墨烯原位生长复合材料碳纤维预制件界面层制备等离子体增强CVD 力学性能石墨烯层体内原位碳纤维有效地预制团聚生长

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